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Transistor MOSFET Canal N 500V 11A IRFB11N50A

Référence produit : IRFB11N50A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)11A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.48 Ohm (max)
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille totale (Qg)38 nC (typique)

Description technique du produit (IRFB11N50A):

Transistor MOSFET Canal N 500V 11A IRFB11N50A. Le IRFB11N50A est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de haute performance.