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Renesas Technology

Transistor MOSFET Canal N 500V 10A RJK5010

Référence produit : RJK5010
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.65 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2.0-4.0V
Charge de grille (Qg)15nC

Description technique du produit (RJK5010):

Transistor MOSFET Canal N 500V 10A RJK5010. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.