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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 42V 2.3A BTS410F2

Référence produit : BTS410F2
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source (Vds) maximale42V (opérationnel), 60V (absolu)
Courant de drain (Id) maximal2.3A
Résistance à l'état passant (Rds(on)) maximale100 mOhm

Description technique du produit (BTS410F2):

Transistor MOSFET Canal N 42V 2.3A BTS410F2. Le BTS410F2 est un commutateur de puissance intelligent côté haut (High-Side) basé sur un MOSFET de canal N, conçu pour la commutation de charges résistives, inductives et capacitives dans des applications automobiles et industrielles. Il intègre des fonctions de protection avancées et un retour de diagnostic.