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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 40V 80A SPB80N04S2-H4

Référence produit : SPB80N04S2-H4
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source40 V
Courant de drain continu80 A
Résistance à l'état passant Rds(on)4.4 mΩ
Tension de seuil Vgs(th)2.0-4.0 V
Charge de grille Qg50 nC

Description technique du produit (SPB80N04S2-H4):

Transistor MOSFET Canal N 40V 80A SPB80N04S2-H4. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille réduite.