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Goford Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 40V 60A G60N04K

Référence produit : G60N04K
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)40V
Courant de drain continu (Id)60A
Résistance à l'état passant (Rds(on))8.5 mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))2V - 4V
Charge de grille (Qg)35 nC

Description technique du produit (G60N04K):

Transistor MOSFET Canal N 40V 60A G60N04K. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation rapide.