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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 40V 120A STP200N4F3

Référence produit : STP200N4F3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)40 V
Courant de drain (Id)120 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))2.2 mΩ (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.5 V - 4.5 V
Charge de grille (Qg)100 nC (typ)

Description technique du produit (STP200N4F3):

Transistor MOSFET Canal N 40V 120A STP200N4F3. Le STP200N4F3 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.