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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 40V 120A STB120N4F6

Référence produit : STB120N4F6
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)40V
Courant de drain continu (Id)120A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.2mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.5V - 4.5V
Charge de grille totale (Qg)100nC (typ)

Description technique du produit (STB120N4F6):

Transistor MOSFET Canal N 40V 120A STB120N4F6. Le STB120N4F6 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances de commutation rapides.