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Transistor MOSFET Canal N 40V 10A SI4542DY

Référence produit : SI4542DY
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source40 V
Courant de drain continu10 A
Résistance à l'état passant10.5 mΩ (max)
Tension de seuil1 V à 2.5 V
Charge de grille10.5 nC (typique)

Description technique du produit (SI4542DY):

Transistor MOSFET Canal N 40V 10A SI4542DY. Transistor MOSFET double canal N conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance.