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Transistor MOSFET Canal N 40V 10A SI4448DY-T1-E3
Référence produit : SI4448DY-T1-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.01 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 40V |
| Courant de drain continu (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10mΩ (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 1.0V à 2.5V |
| Charge de grille totale (Qg) | 10.5nC |
Description technique du produit (SI4448DY-T1-E3):
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A SI4448DY-T1-E3. MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité.