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Onsemi (fairchild)

Transistor MOSFET Canal N 40V 10A NDT452AP

Référence produit : NDT452AP
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source40V
Courant de drain continu10A
Résistance à l'état passant18mΩ (typ.)
Tension de seuil de grille1V à 3V
Charge de grille typique10nC

Description technique du produit (NDT452AP):

Transistor MOSFET Canal N 40V 10A NDT452AP. Transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, optimisé pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.