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Advanced Power

Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4525GEM

Référence produit : AP4525GEM
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)40V
Courant de drain (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))12.5mΩ @ Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V-2.5V
Charge de grille (Qg)10nC (typ.)

Description technique du produit (AP4525GEM):

Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4525GEM. MOSFET de puissance à canal N en mode d'amélioration, double, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité.