En stock
Advanced Power
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4511GD
Référence produit : AP4511GD
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.93 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 40V |
| Courant de drain continu | 10A |
| Résistance à l'état passant | 12mΩ (à Vgs=10V) |
| Tension de seuil | 1V - 2.5V |
| Charge de grille | 10nC |
Description technique du produit (AP4511GD):
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4511GD. MOSFET de puissance à mode d'enrichissement double canal N. Conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.
