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Advanced Power
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4506GEH
Référence produit : AP4506GEH
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 6.91 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 40V |
| Courant de drain continu | 10A |
| Résistance à l'état passant (max) | 10.5mΩ à Vgs=10V |
| Tension de seuil de grille | 1.5V à 2.5V |
| Charge de grille (typ) | 12.5nC |
Description technique du produit (AP4506GEH):
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4506GEH. Le AP4506GEH est un MOSFET de puissance à canal N double en mode d'amélioration, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.