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Taiwan Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 40V 100A TSM033NB04CR-RLG

Référence produit : TSM033NB04CR-RLG
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)40V
Courant de drain continu (Id)100A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.3mΩ à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)40nC

Description technique du produit (TSM033NB04CR-RLG):

Transistor MOSFET Canal N 40V 100A TSM033NB04CR-RLG. Transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité.