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Taiwan Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 40V 100A TSM033NB04CR
Référence produit : TSM033NB04CR
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 10.10 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 40V |
| Courant de drain (Id) | 100A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 3.3mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.2V-2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 40-50nC |
Description technique du produit (TSM033NB04CR):
Transistor MOSFET Canal N 40V 100A TSM033NB04CR. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.