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ON Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 30V 80A FDP3632

Référence produit : FDP3632
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)80A
Résistance à l'état passant (Rds(on))5.5 mΩ (typ.)
Tension de seuil (Vgs(th))2V - 4V
Charge de grille (Qg)40 nC (typ.)

Description technique du produit (FDP3632):

Transistor MOSFET Canal N 30V 80A FDP3632. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.