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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A SI4948BEY-T1-GE3

Référence produit : SI4948BEY-T1-GE3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30 V
Courant de drain (Id)8.5 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))12.5 mΩ (à Vgs=10V)
Tension de seuil (Vgs(th))1 V à 2.5 V
Charge de grille (Qg)10.5 nC

Description technique du produit (SI4948BEY-T1-GE3):

Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A SI4948BEY-T1-GE3. Transistor MOSFET double canal N, conçu pour la commutation de puissance à haute efficacité dans diverses applications.