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Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A SI4532CDY-T1-GE3
Référence produit : SI4532CDY-T1-GE3
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.39 € | — |
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Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 8.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 16mΩ (à Vgs=10V) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 12.5nC |
Description technique du produit (SI4532CDY-T1-GE3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A SI4532CDY-T1-GE3. Transistor MOSFET double canal N conçu pour la commutation côté haut et d'autres applications de gestion de l'énergie.