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Advanced Power
Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A AP9930GM
Référence produit : AP9930GM
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.40 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 8.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 18mΩ (typ.) @ Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V - 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC (typ.) |
Description technique du produit (AP9930GM):
Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A AP9930GM. Transistor MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de puissance et de gestion de batterie.