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ROHM

Transistor MOSFET Canal N 30V 7A SP8M3

Référence produit : SP8M3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)7A
Résistance à l'état passant (Rds(on))22mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1.0V à 2.5V
Charge de grille (Qg)10.5nC (typ)

Description technique du produit (SP8M3):

Transistor MOSFET Canal N 30V 7A SP8M3. Transistor MOSFET double canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.