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Onsemi (fairchild)

Transistor MOSFET Canal N 30V 7A FDS6912

Référence produit : FDS6912
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source30V
Courant de drain7A
Résistance à l'état passant20mΩ (typ) @ Vgs=10V
Tension de seuil1V - 3V
Charge de grille15nC (typ)

Description technique du produit (FDS6912):

Transistor MOSFET Canal N 30V 7A FDS6912. MOSFET de puissance double canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité.