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Taiwan Semicon

Transistor MOSFET Canal N 30V 60A TSM60N03CP

Référence produit : TSM60N03CP
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)60A
Résistance à l'état passant (Rds(on))6.5mΩ (typ.) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1.0V - 2.5V
Charge de grille (Qg)25nC (typ.)

Description technique du produit (TSM60N03CP):

Transistor MOSFET Canal N 30V 60A TSM60N03CP. Le TSM60N03CP est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC, la gestion de batterie et le contrôle de moteurs.