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National Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 30V 60A NDB6030L
Référence produit : NDB6030L
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.66 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 60A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10mΩ (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 3V |
| Charge de grille (Qg) | 30nC (typ) |
Description technique du produit (NDB6030L):
Transistor MOSFET Canal N 30V 60A NDB6030L. Le NDB6030L est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et la gestion de batterie.
