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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 30V 60A IPD050N03L-GATMA1
Référence produit : IPD050N03L-GATMA1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.40 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.31 € | -6% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source | 30V |
| Courant de drain | 60A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 5.0 mΩ |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1.2V |
| Charge de grille Qg | 30 nC |
| Boîtier | DPAK |
Description technique du produit (IPD050N03L-GATMA1):
Transistor MOSFET Canal N 30V 60A IPD050N03L-GATMA1. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.