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Advanced Power

Transistor MOSFET Canal N 30V 6.5A AP4800CGM

Référence produit : AP4800CGM
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)6.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V à 2.5V
Charge de grille (Qg)10nC (typ)

Description technique du produit (AP4800CGM):

Transistor MOSFET Canal N 30V 6.5A AP4800CGM. Le AP4800CGM est un double transistor MOSFET à canal N de puissance, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant pour minimiser les pertes de conduction.