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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 30V 50A IPD50N03S2L-06
Référence produit : IPD50N03S2L-06
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.40 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.24 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 30V |
| Courant de drain continu | 50A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 6.2 mOhm |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1.2V à 2.0V |
| Charge de grille Qg | 20 nC |
Description technique du produit (IPD50N03S2L-06):
Transistor MOSFET Canal N 30V 50A IPD50N03S2L-06. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.