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Transistor MOSFET Canal N 30V 5.3A IRF7314PBF

Référence produit : IRF7314PBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)5.3A
Résistance à l'état passant (Rds(on))30mΩ max à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1.0V à 2.5V
Charge de grille (Qg)12nC typique

Description technique du produit (IRF7314PBF):

Transistor MOSFET Canal N 30V 5.3A IRF7314PBF. Le IRF7314PBF est un double MOSFET de puissance HEXFET à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il est encapsulé dans un boîtier SO-8 compact, idéal pour les conceptions à espace restreint.