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Vishay Siliconix
Transistor MOSFET Canal N 30V 4.2A SI2306BDS-T1-E3
Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)
Référence produit : SI2306BDS-T1-E3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 5.14 € | — |
| 2 – 9 | 4.84 € | -6% |
| 10 – 39 | 4.37 € | -15% |
| 40 – 599 | 4.08 € | -21% |
| 600+Meilleur prix | 3.18 € | -38% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 4.2A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 30mΩ à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC |
Description technique du produit (SI2306BDS-T1-E3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 4.2A SI2306BDS-T1-E3. Le SI2306BDS-T1-E3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à faible tension et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les circuits à haute efficacité.
. Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)