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National Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A NDP603AL

Référence produit : NDP603AL
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain (Id)20A
Résistance à l'état passant (Rds(on))35mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))1V - 2.5V
Charge de grille (Qg)15nC

Description technique du produit (NDP603AL):

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A NDP603AL. Transistor MOSFET Canal N, conçu pour la commutation rapide et les applications de gestion de puissance. Offre une faible résistance à l'état passant pour minimiser les pertes de conduction.