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ON Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A FDD6296

Référence produit : FDD6296
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)20A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V à 3V
Charge de grille (Qg)10nC (typ)

Description technique du produit (FDD6296):

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A FDD6296. Le FDD6296 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs DC-DC et la gestion de puissance.