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Texas Instruments

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A CSD17313Q2T

Référence produit : CSD17313Q2T
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)20A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.5 mΩ (typ) @ Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1.2V (typ)
Charge de grille (Qg)10 nC (typ)

Description technique du produit (CSD17313Q2T):

Transistor MOSFET Canal N 30V 20A CSD17313Q2T. Le CSD17313Q2T est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs DC-DC et la gestion de l'alimentation.