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Transistor MOSFET Canal N 30V 13.5A FDS6675BZ
Référence produit : FDS6675BZ
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 1.86 € | — |
| 25 – 99 | 1.55 € | -17% |
| 100 – 499 | 1.32 € | -29% |
| 500+Meilleur prix | 1.14 € | -39% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 13.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 8.5mΩ à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 3V |
| Charge de grille (Qg) | 25nC |
Description technique du produit (FDS6675BZ):
Transistor MOSFET Canal N 30V 13.5A FDS6675BZ. Le FDS6675BZ est un transistor MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation de puissance à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances de commutation rapides.