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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 30V 12A YJSD12N03A
Référence produit : YJSD12N03A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.59 € | — |
| 20 – 49 | 0.30 € | -49% |
| 50 – 99 | 0.26 € | -56% |
| 100 – 299 | 0.24 € | -59% |
| 300 – 999 | 0.22 € | -63% |
| 1000 – 3999 | 0.20 € | -66% |
| 4000+Meilleur prix | 0.20 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 12A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10mΩ (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 12nC (typ) |
Description technique du produit (YJSD12N03A):
Transistor MOSFET Canal N 30V 12A YJSD12N03A. Le YJSD12N03A est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances de commutation rapides.