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Vishay (siliconix)
Transistor MOSFET Canal N 30V 12A SI4410BDY-E3
Référence produit : SI4410BDY-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.13 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain continu (Id) | 12A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 8.5mΩ (typ) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 15nC (typ) à Vgs=10V |
Description technique du produit (SI4410BDY-E3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 12A SI4410BDY-E3. Le SI4410BDY-E3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances de commutation rapides.