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Advanced Power

Transistor MOSFET Canal N 30V 12A AP9971GM

Référence produit : AP9971GM
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain continu (Id)12A
Résistance à l'état passant (Rds(on))10mΩ à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V à 2.5V
Charge de grille (Qg)10.5nC (typique)

Description technique du produit (AP9971GM):

Transistor MOSFET Canal N 30V 12A AP9971GM. Transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.