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Transistor MOSFET Canal N 30V 10A SI4800BDY-T1-E3
Référence produit : SI4800BDY-T1-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 1.38 € | — |
| 200+Meilleur prix | 1.27 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30 V |
| Courant de drain continu (Id) | 10 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10 mΩ à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1 V à 3 V |
| Charge de grille (Qg) | 20 nC |
Description technique du produit (SI4800BDY-T1-E3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 10A SI4800BDY-T1-E3. Le SI4800BDY-T1-E3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs DC/DC et la gestion de batterie.
