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ROHM

Transistor MOSFET Canal N 30V 100A RSS100N03

Référence produit : RSS100N03
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Courant de drain (Id)100A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.5mΩ (max)
Tension de seuil (Vgs(th))1.0V - 2.0V
Charge de grille (Qg)65nC (typ)

Description technique du produit (RSS100N03):

Transistor MOSFET Canal N 30V 100A RSS100N03. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.