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Vishay (siliconix)
Transistor MOSFET Canal N 30V 10.5A SI4431BDY-T1-E3
Référence produit : SI4431BDY-T1-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.86 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.37 € | -26% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 30V |
| Courant de drain | 10.5A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 10.5mΩ (à Vgs=10V) |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille Qg | 15nC |
Description technique du produit (SI4431BDY-T1-E3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 10.5A SI4431BDY-T1-E3. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une commutation rapide.