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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 30V 1.1A NDS355AN
Référence produit : NDS355AN
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 1.16 € | — |
| 25+Meilleur prix | 0.71 € | -39% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source Vds | 30V |
| Courant de drain Id | 1.1A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 0.18 Ohm |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille Qg | 3.5nC |
Description technique du produit (NDS355AN):
Transistor MOSFET Canal N 30V 1.1A NDS355AN. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance.