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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 300V 88A IXTQ88N30P

Référence produit : IXTQ88N30P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)300V
Courant de drain continu (Id)88A
Résistance à l'état passant (Rds(on))35mΩ (typ.)
Tension de seuil de grille (Vgs(th))3V (typ.)
Charge de grille (Qg)100nC (typ.)

Description technique du produit (IXTQ88N30P):

Transistor MOSFET Canal N 300V 88A IXTQ88N30P. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.