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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 300V 36A IXTQ36N30P
Référence produit : IXTQ36N30P
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 9.53 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 300V |
| Courant de drain continu (Id) | 36A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 80mΩ (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille totale (Qg) | 70nC (typ) |
Description technique du produit (IXTQ36N30P):
Transistor MOSFET Canal N 300V 36A IXTQ36N30P. Le IXTQ36N30P est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.