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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 300V 36A IXTA36N30P

Référence produit : IXTA36N30P
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)300V
Courant de drain continu (Id)36A
Résistance à l'état passant (Rds(on))80mΩ (typ.)
Charge de grille totale (Qg)45nC (typ.)

Description technique du produit (IXTA36N30P):

Transistor MOSFET Canal N 300V 36A IXTA36N30P. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.