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Mitsubishi Electric Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 250V 12A FS12KM-5

Référence produit : FS12KM-5
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)250V
Courant de drain (Id)12A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.36Ω
Tension de seuil (Vgs(th))2.0-4.0V
Charge de grille (Qg)20nC

Description technique du produit (FS12KM-5):

Transistor MOSFET Canal N 250V 12A FS12KM-5. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.