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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 250V 0.2A BSS139H6327
Référence produit : BSS139H6327
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.26 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 250V |
| Courant de drain (Id) | 200mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 1.5 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.5V |
Description technique du produit (BSS139H6327):
Transistor MOSFET Canal N 250V 0.2A BSS139H6327. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance.