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Taiwan Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 20V 6.5A TSM9926DCSRLG

Référence produit : TSM9926DCSRLG
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)20V
Courant de drain continu (Id)6.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20mΩ (typique à Vgs=4.5V)
Tension de seuil (Vgs(th))0.45V à 1.0V
Charge de grille (Qg)10.5nC (typique)

Description technique du produit (TSM9926DCSRLG):

Transistor MOSFET Canal N 20V 6.5A TSM9926DCSRLG. Transistor MOSFET à mode d'enrichissement double canal N, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse.