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Transistor MOSFET Canal N 20V 5.5A FDC6561AN
Référence produit : FDC6561AN
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.80 € | — |
| 5 – 9 | 1.13 € | -37% |
| 10 – 19 | 0.97 € | -46% |
| 20 – 49 | 0.89 € | -51% |
| 50+Meilleur prix | 0.83 € | -54% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain continu (Id) | 5.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 25mΩ (typ) @ Vgs=4.5V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.45V - 1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 10.5nC (typ) |
Description technique du produit (FDC6561AN):
Transistor MOSFET Canal N 20V 5.5A FDC6561AN. Le FDC6561AN est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs DC-DC et la gestion de batterie.