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Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI9936BDY-E3
Référence produit : SI9936BDY-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.51 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 20V |
| Courant de drain continu (Id) | 5.3A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 25mΩ à Vgs=4.5V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.45V à 1.2V |
| Charge de grille (Qg) | 12nC typique |
Description technique du produit (SI9936BDY-E3):
Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI9936BDY-E3. Le SI9936BDY-E3 est un double transistor MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation de puissance à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.