En stock
Vishay
Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI9936BDY
Référence produit : SI9936BDY
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.42 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 5.3A |
| Résistance à l'état passant | 25mΩ (Vgs=4.5V) |
| Tension de seuil | 0.4V à 1.0V |
| Charge de grille | 10nC |
Description technique du produit (SI9936BDY):
Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI9936BDY. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, double, conçu pour des applications de commutation de faible puissance et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant.