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Transistor MOSFET Canal N 20V 4.6A SI2323DS-T1-E3
Référence produit : SI2323DS-T1-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.52 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 4.6A |
| Résistance à l'état passant | 25mΩ (typ.) |
| Tension de seuil de grille | 0.6V à 1.2V |
| Charge de grille | 10nC (typ.) |
Description technique du produit (SI2323DS-T1-E3):
Transistor MOSFET Canal N 20V 4.6A SI2323DS-T1-E3. Transistor MOSFET à canal N de faible puissance, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance dans des systèmes compacts.