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Transistor MOSFET Canal N 20V 4.5A SI2308BDS-T1-GE3
Référence produit : SI2308BDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2999 | 0.82 € | — |
| 3000+Meilleur prix | 0.55 € | -33% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 4.5A |
| Résistance à l'état passant | 30mΩ (max à Vgs=4.5V) |
| Tension de seuil | 0.6V à 1.2V |
| Charge de grille | 10.5nC |
Description technique du produit (SI2308BDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET Canal N 20V 4.5A SI2308BDS-T1-GE3. Transistor MOSFET Canal N de puissance, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs DC/DC et la gestion de l'alimentation dans les appareils portables.